型号:STB27NM60ND | 类别:FET - 单 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
系列 | FDmesh™ II |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 21A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 160 毫欧 @ 10.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 80nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2400pF @ 50V |
功率_最大 | 160W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市瑞智芯科技有限公司 | 李先生0755-83089975 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
中科国际电子(深圳)有限公司 | 业务员0755-23306107 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
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1206(3216 公制),凹陷
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1507(3718 公制)
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1206(3216 公制),凹陷
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1206(3216 公制),凹陷
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- STB28NM50N
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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1410(3727 公制)
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网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 270K OHM 4 RES 1206